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192层3D存储芯片突破!中国芯创新高,芯片突围或逆转

时间:2020-09-23 09:41来源:环球热讯网 作者:网络

【环球热讯网】近日美国对华为的芯片禁令正式生效了,在美国政府的持续打压下,世界上主要的存储芯片生产商按照美国政府的禁令对华为进行了断供。

虽然华为在芯片领域内面临着严重的困境,但是近日在芯片领域内传出了一个好消息,有消息人士透露中国的存储芯片企业长江存储在芯片上取得了重大突破。

该企业实现了对192层3DNAND存储工艺的突破,并且发布了一款消费级固态硬盘产品。该企业所取得的成就意味着中国的存储芯片计划已经取得了一定的效果。

在刻蚀设备领域,中国企业生产的设备已经开始进入台积电的供应链中,不过在台积电的供应链中美国的企业占绝大部分。在化学机械抛光设备方面,中国的可以替代美国的设备,不过在性能上要差一些。

清洗设备上中国国产的设备能够满足中低端需求,但是在高端设备上还面临着较大难度。综合来看中国的企业所使用的设备在很大程度上依赖外国的企业,中国企业所能够提供的设备占比比较低。

光刻机是芯片制造过程中不可缺少的设备,这个设备是又贵又精密。在光刻机领域,能够生产该设备的企业只有两个,荷兰的阿斯麦尔在该领域占有绝对优势,日本的佳能只占很少的一部分。

其实在半导体技术方面,中国企业虽然在技术上都取得了很多突破。但是中国企业在该领域对美国的依赖程度很高。

以长江存储为例,虽然取得192层3DNAND存储工艺的突破,但是在生产设备上严重依赖美国公司。

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